孙钱
出生年月：1979-12
工作简介：
1998年考入中国科技大学，2002年提前一年毕业获材料物理理学学士和计算机科学与技术工程学士双学位，并荣获郭沫若校长奖学金。同年以全系第一名的成绩免试推荐到中科院半导体所攻读硕士学位。2005年硕士毕业后到美国耶鲁大学深造，于2009年8月获得博士学位，并荣获耶鲁大学工学院最高奖。
成果：
曾留任耶鲁大学副研究员，承担和参与了硅衬底上高质量无裂纹GaN的外延生长及器件研发、非极性和半极性GaN的材料生长及LED制备、纳米多孔GaN的制备及其应用等多个重点科研项目。2010年6月加入美国硅谷的普瑞光电公司Bridgelux Inc.，任外延研发科学家，负责8英寸硅衬底上GaN基高亮度LED的研发。2011年入选中组部的首批“青年千人计划”，回国后任中科院苏州纳米所研究员，从事半导体电力电子器件、超高亮度LED等领域的研发工作。
